发布时间:2026-05-20
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报告时间:2026年5月26日(周二)15:00
报告地点:启智楼0365会议室
报告题目:全电学高效SOT-MRAM的探索
随着人工智能、5G通信、物联网(IoT)及工业4.0等技术的迅猛发展,全球数据量正呈指数级爆发式增长,海量数据的存储与处理对存储器的容量、速度、耐久性及能效提出了前所未有的更高要求。传统闪存技术正逼近其物理极限,研发下一代非易失性存储器已迫在眉睫。最近几年,各种新型存储器件不断地从实验室走向商业应用。本次报告将系统介绍磁随机存储器(MRAM)在前沿科学与商业制造领域的最新进展。报告还将介绍阻变存储器(RRAM)、相变存储器(PCRAM)、铁电存储器(FeRAM)及赛道存储器(Racetrack Memory)等其他几种新型非易失性存储技术的器件基本原理、性能特点,并对其商业化前景进行深入分析与比较。
报告人简介:
何亮,南京大学电子科学与工程学院教授,博士生导师。何亮教授是微电子学和固体电子学领域的优秀学者,在清华大学获得理学和管理学双学士,在美国北卡罗来纳大学教堂山分校获博士学位。2014年入选国家级人才计划,2016年获得江苏省双创人才计划。何亮教授长期从事新型半导体薄膜材料生长,通过光、电、磁、输运等先进手段,研究材料的物理性质和自旋电子微纳原型器件。何亮教授负责/参与了国家重点研发计划、国家重大装备计划、973计划、军委科技委装备项目、国家自然科学重点项目等多项国家重大项目;发表SCl论文180余篇,主要著作包括,Nature Nanotechnology 1篇, Nature Materials 1 篇, NC 3篇Nano Letters 10篇,ACS Nano 7篇,PRL 3篇等等,总引用6000余次,H因子33。
主办单位:
物理与电子信息学院
山东省太空环境与探测技术重点实验室
山东省大数据智能处理高校特色实验室
山东省5G智慧交通大数据处理创新实验室
科学技术处
(作者:物理与电子信息学院 王双海 李振华 供稿审核人:董文会)
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【学术预告】办学55周年系列学术活动
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